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    mos管原理及幾種常見失效分析

    發布時間: 2018/12/12 10:28:08 | 2760 次閱讀

    mos管(以N溝道增強型mos場效應管)它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少,以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現大量正離子,故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質的N區接通,形成了導電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,溝道內被感應的電荷量也改變,導電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

    mos管常見失效分析:

    1、雪崩失效(電壓失效)

    也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過mosFET的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導致mosFET失效。

    2、SOA失效(電流失效)

    既超出mosFET安全工作區引起失效,分為Id超出器件規格失效以及Id過大,損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。

    3、體二極管失效

    在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中,由于體二極管遭受破壞而導致的失效。

    4、諧振失效

    在并聯使用的過程中,柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。

    5、靜電失效

    在秋冬季節,由于人體及設備靜電而導致的器件失效。

    6、柵極電壓失效

    由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導致柵極柵氧層失效。


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